2024年西安电子科技大学801半导体物理考研考试大纲 – 哔哩哔哩(2024年西安电子科技大学录取线是多少)

801半导体物理考试大纲
（研应考试首要查询考生分析疑问与处置疑问的才能，大纲所列内容为考生需掌控的根柢内容，仅供温习参阅运用，考试规模不限于此）
一、全体需求
“半导体物理”要肄业生熟练掌控半导体的有关基础理论，晓得半导体性质以及受外界要素的影响及其改变规则。要点掌控半导体的晶体规划、半导体中的电子状况和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的计算分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等有关常识、根柢概念及有关理论，掌控半导体中载流子浓度核算、电阻(导)率核算以及运用接连性方程处置载流子浓度随时刻或方位的改变及其分布规则的核算等。
“半导体物理”（801）研讨生入学考试是所学常识的总结性考试，考试水平应抵达或跨越本科专业相应的课程需求水平。
二、常识要害
（一）半导体晶体规划和缺陷
1.温习内容
半导体的分类及其特征，半导体的性质及导电才能对外界要素的依靠性，半导体化学键的性质和半导体的晶体规划，金刚石与闪锌矿规划的特征及其各向异性。
2.具体需求
固体的分类
半导体性质
化学键类型和晶体规划的规则性
半导体晶体规划与半导体键的性质
晶格、晶向与晶面
半导体中常用的晶向与晶面
金刚石规划和闪锌矿规划的特征及其各向异性
砷化镓晶体的极性
（二）半导体中的电子状况
1.温习内容
半导体中电子状况与能带，半导体中的电子运动与有用质量，空穴，回旋共振原理与作用，si的回旋共振实验成果，常用元素半导体和典型化合物半导体的能带规划。
2.具体需求
半导体中的电子状况、表征和能带
半导体中电子的运动和有用质量，有用质量的意义
本征半导体的导电机构，
空穴的概念，空穴等效概念的作用与意义
回旋共振原理、作用及其si晶体的回旋共振实验成果
si、ge和典型化合物半导体的能带规划
（三）半导体中杂志和缺陷能级
1.温习内容
半导体中的杂质和缺陷，元素半导体中的杂质和缺陷能级，化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级。
2.具体需求
si和ge晶体中的杂质和杂质能级
杂质的抵偿作用与使用
深能级杂质
ⅲ-ⅴ族化合物半导体中的杂质能级
等电子杂质与等电子圈套
半导体中的缺陷与位错能级
（四）半导体中载流子的计算分布
1.温习内容
状况密度，分布函数、fermi能级，载流子计算分布，本征和杂质半导体的载流子浓度，抵偿半导体的载流子浓度，简并半导体
2.具体需求
状况密度的界说与核算
分布函数
费米能级、费米能级意义
非简并半导体载流子的计算分布
本征半导体的载流子浓度
杂质半导体的载流子浓度
杂质抵偿半导体的载流子浓度
简并半导体及载流子浓度、简并化判据、简并半导体的特征与杂质带导电
载流子浓度的分析核算办法及其影响载流子浓度的要素
（五）半导体的导电性
1.温习内容
载流子的漂移运动，搬场率，载流子的散射，搬场率与杂质浓度和温度的联络，电阻率与杂质浓度和温度的联络，强场效应与热载流子
2.具体需求
漂移的概念与规则
载流子漂移运动
搬场率界说及物理意义
载流子散射概念
半导体中的首要散射机制、特征及其影响要素
半导体中其它要素致使的散射
搬场率与杂质浓度和温度的联络
电阻率及其与杂质浓度和温度的联络
载流子在强电场下的效应
高场畴区与gunn效应；
（六）非平衡载流子
1.温习内容
非平衡状况，非平衡载流子的发生与复合

，非平衡载流子寿数，准费米能级，复合理论，圈套效应，非平衡载流子载流子的涣散与漂移，爱因斯坦联络，接连性方程
2.具体需求
非平衡状况及其特征
非平衡载流子的写入与复合
准费米能级概念与意义
非平衡载流子的寿数及其影响要素
直接复合与直接复合理论
表面复合
圈套效应
涣散概念与规则
半导体中载流子的涣散运动
einstein联络
半导体中的电流构成
接连性方程的树立及意义
接连性方程的典型使用
三、考试方法
1、考试时刻:180分钟。
2、试卷分值:150分。
3、考试方法:闭卷考试。
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